行业应用框架，供选型与方法沟通；不是特定客户的实测案例。
检测用途
孔隙形态、组织分布与脆性材料截面观察。
建议流程
明确观察面并评估切割与支撑方案，按样品状态选择镶嵌、研磨和抛光方法，保留孔隙与边缘的真实形态。
重点检查
区分原有孔隙与制样掉粒；图像中的二维面积结果不直接替代未经确认的其他孔隙率测量方法。
设备衔接
切割取样 → 镶嵌支撑 → 研磨抛光 → 适用的显微观察与性能检测。
记录样品位置、制样状态、耗材、实际设定及图像，按双方确认的试验方法和验收要求评估。
典型检测场景
95% 氧化铝结构陶瓷与泡沫陶瓷过滤片
- 检测难题
- 硬度高、脆性大,常规切割极易崩边和诱发裂纹;多孔结构在磨抛中颗粒易拔出、孔隙边缘易塌陷,造成气孔率与孔径测量偏高失实。
- 制样与检测做法
- 用精密切割机配金刚石切割片,低速、低进给并充分冷却切割,脆性样品可适当降低切割深度分次进刀。真空下以低粘度环氧树脂冷镶嵌浸渍,渗入孔隙加固骨架,防止磨抛时颗粒拔出。SiC 砂纸由 P400 轻压磨至 P1200,6μm→1μm 金刚石抛光,不浸蚀,直接以图像分析测显气孔率与孔径分布,并观察晶粒与晶界相。
- 依据标准
- GB/T 25995 精细陶瓷密度和显气孔率试验方法;ISO 13383 精细陶瓷 显微组织表征;ASTM E3 金相试样制备标准指南
反应烧结碳化硅(SiSiC)密封环
- 检测难题
- SiC 骨架(极高硬度)与游离硅(软相)共存,两相硬度悬殊,磨抛中硅相易剥落、SiC 颗粒易拔出,界面真实结合状态难以保留;游离硅含量与残余孔隙需精确定量,制样浮雕与污染会直接干扰图像分析结果。
- 制样与检测做法
- 用精密切割机配金刚石切割片低速、低进给切割,充分冷却并分次浅进刀。真空下以低粘度环氧树脂冷镶嵌浸渍,渗入微孔加固骨架。SiC 砂纸 P400 轻压磨至 P1200,6μm→3μm→1μm 金刚石逐级抛光,必要时 0.05μm 胶体硅终抛消除两相浮雕。不浸蚀直接明场观察:SiC 颗粒呈多角形、游离硅呈浅色连续相,偏光/暗场辅助区分;图像分析定量游离硅面积分数与残余孔隙率;显微维氏硬度(HV1)分别测 SiC 相与硅相硬度进行对比。
- 依据标准
- ISO 13383 精细陶瓷 显微组织表征;GB/T 25995 精细陶瓷密度和显气孔率试验方法;ASTM E3 金相试样制备标准指南
场景为方法示例，非客户实测报告；具体工艺以样品评估为准。
研润应用学习资料 · 具体工艺以样品评估和操作规程为准。